長江存儲NAND快閃記憶體 大躍進

長江存儲NAND快閃記憶體 大躍進
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中國記憶體巨頭長江存儲已成功開發並量產232層NAND快閃記憶體,縮短與記憶體龍頭三星電子及SK海力士的差距。圖/新華社

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半導體分析公司TechInsights近日發表報告顯示,遭美國製裁的中國記憶體巨頭長江存儲已成功開發並量產232層NAND快閃記憶體,縮短與記憶體龍頭三星電子及SK海力士的差距。

NAND是一種即使斷電也能保存資料的記憶半導體,需要先進的疊層技術,由於疊層會影響資料容量的多寡,爲NAND競爭關鍵。

韓國媒體BusinessKorea在30日引述TechInsights報告指出,今年7月推出的1TB消費級固態硬碟(SSD)致鈦(ZHITAI)600商品中,發現長江存儲生產的232層4層單元(QLC)3D NAND記憶體。對比其他廠商,三星電子雖未對外透露相關資料,但市場傳聞其NAND最高堆疊層數爲236層,而SK海力士NAND爲238層,意味着長江存儲可能開始縮小與韓國企業的差距。

不過,TechInsights報告對長江存儲的3D NAND,是否完全以大陸設備或元件生產並無着墨。

南華早報4月曾報導,長江存儲去年以其旗艦232層X3-9070 3D NAND快閃晶片試圖挑戰記憶體晶片龍頭三星電子、SK海力士與美光科技,但在美國設備供應商科磊與科林爲遵守美國出口管制新規而停止對長江存儲供貨及提供服務後,長江存儲能否量產該款晶片成爲疑問。

報導指出,長江存儲在美國製裁的情況下,計劃使用國產設備生產先進的3D NAND。這些國內供應商包括北方華創科技集團,相關計劃已取得進展。

另有業界人士表示,長江存儲升級原有Xtacking結構,最新4.0架構性能將與其他NAND原廠200層以上產品性能表現相當。

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