英特爾先進封裝大進擊 與日月光、艾克爾等分庭抗禮

英特爾先進封裝大進擊 與日月光、艾克爾等分庭抗禮

英特爾。路透

英特爾在晶圓代工先進製程緊追臺積電(2330)之際,也在先進封裝領域大進擊,21日宣佈將在今年內推出Intel 3-T製程,可搭配採用其最新的Foveros Direct 3D先進封裝,爭取AI等高速運算(HPC)晶片商機,與臺積電、三星等同業大打搶單戰,並與日月光投控、艾克爾等專業封測廠分庭抗禮。

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英特爾是在21日於美國聖荷西舉辦的「IFS Direct Connect 2024」活動中,釋出以上訊息。業界人士分析,英特爾在先進製程與先進封裝兩路並進,加上自家晶片也猛攻AI應用,在全球AI領域的地位也會日益重要,但也意味未來與同業之間的競爭將更加激烈。

英特爾已在2D封裝有所着墨,其先進封裝佈局主要包括EMIB與Foveros方案。

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英特爾先進封裝發展概況 圖/經濟日報提供

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英特爾指出,該公司從2017年開始有2.5D EMIB封裝產品出貨,也有Co-EMIB技術,是於2022年結合EMIB與Foveros技術,推出代號爲Ponte Vecchio的GPU Mac系列產品。

而第一代Foveros封裝則於2019年推出,該公司去年推出的Intel Core Ultra處理器則是運用其第二代3D Foveros封裝技術,凸點間距(bump pitch)進一步縮小。根據英特爾的規劃,接下來將進一步擴展Foveros Direct 3D先進封裝。

目前英特爾在美國奧勒岡州與新墨西哥州設有先進封裝產能,未來在馬來西亞檳城新廠也將有3D Foveros封裝相關產能。其檳城新廠後續將可望成爲該公司最大的3D Foveros先進封裝據點,外界推估,該新廠可能於今年稍晚或2025年可完工運作。

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英特爾先前提到,該公司規劃到2025年時,3D Foveros封裝的產能將較目前增加四倍。

值得注意的是,即使客戶不是利用其晶圓代工服務來生產晶片,英特爾先前也表示,開放讓客戶也可以只選用其先進封裝方案,目的是希望讓客戶可以更能擁有生產彈性。

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英特爾先進封裝佈局已有更長遠的擘畫,該公司未來將推出業界首款用於下一代先進封裝的玻璃基板方案,規畫於2026至2030年量產,並預期最先導入的市場,將是需要更大體積封裝、更高速應用及工作負載的資料中心、AI、繪圖處理等領域。